[发明专利]半导体到金属的过渡

摘要

本发明涉及半导体到金属的过渡。提出了一种半导体器件（1）。半导体器件（1）包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）。第一半导体区（12）包含：与第二半导体区（13）接触的过渡区（123），过渡区（123）具有第一浓度的第一电荷载流子；与扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），接触区（121）具有第二浓度的第一电荷载流子，其中，第二浓度高于第一浓度；在接触区（121）和过渡区（123）之间的损伤区（122），损伤区（122）被配置用于与接触区（121）和过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。

主权项

1.一种半导体器件，包括具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区和具有第二电荷载流子的第二半导体区，其中，所述第一半导体区包括：与所述第二半导体区接触的过渡区，所述过渡区具有第一浓度的所述第一电荷载流子；具有第二浓度的所述第一电荷载流子的接触区，其中，所述第二浓度高于所述第一浓度；以及在所述接触区和所述过渡区之间的损伤区，所述损伤区被配置为与所述接触区和所述过渡区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低所述损伤区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。