[发明专利]基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法，主要解决现有光电转换结构中的氮化物材料自发极化电场的方向与光照产生的电场相反，导致光电转换结构效率不高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、i‑In_xGa_1‑xN层(5)和p型GaN层(6)，其中除衬底以外的各层均采用N极性氮化物材料，即材料的最表层中心原子为N原子。本发明的光电转换结构中由于氮化物材料自发极化产生的电场与光照产生的电场方向相同，起到了对光照产生电场的促进作用，提高了光电转换效率，可用于制作高效率的太阳能电池。

主权项

1.一种基于N极性氮化物材料的光电转换结构，自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、i‑InxGa1‑xN层(5)和p型GaN层(6)，其特征在于：高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、i‑InxGa1‑xN层(5)和p型GaN层(6)均采用N极性氮化物材料，即材料的最表层中心原子为N原子，其自发极化产生的电场与光照产生的电场方向相同，起到了对光照产生电场的促进作用，提高了太阳能电池的光电转换效率。