[发明专利]一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201810847058.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108987569B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;赵孟柳;王宏;任德亮 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 胡素梅;苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器、其制备方法及应用。本发明中的忆阻器包括底电极，在所述底电极上制有由碘氧化铋薄膜构成的阻变功能层，在所述阻变功能层上制有顶电极。本发明采用碘氧化铋薄膜作为忆阻器的阻变功能层，碘氧化铋能够使器件内的氧空位变多，这些氧空位可作为顶电极和底电极之间稳定的导电通道，进而使得器件的电阻在发生变化时不会出现突变现象。本发明中的忆阻器由于采用了碘氧化铋薄膜作为器件的阻变功能层，因此，实现了器件对生物突触功能的模拟，包括短期可塑性、长期可塑性、双脉冲易化、尖峰时刻可塑性、学习‑遗忘‑再学习等，这意味着模拟人脑强大的计算能力和高效率的人工智能芯片有着乐观的发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 忆阻器 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器，其特征是，包括底电极，在所述底电极上制有由碘氧化铋薄膜构成的阻变功能层，在所述阻变功能层上制有顶电极。
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