[发明专利]一种中粒度陶瓷抛光渣陶粒的制备方法、制备的陶瓷抛光渣陶粒及其应用有效
| 申请号： | 201810847446.6 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108863428B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 甘伟;甘立 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B33/132;C04B18/02 |
| 代理公司： | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人： | 江锦利 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中粒度陶瓷抛光渣陶粒的制备方法，包括以下步骤：调浆、干燥、焙烧和出料。本发明还公开了通过中粒度陶瓷抛光渣陶粒的制备方法制备得到的中粒度陶瓷抛光渣陶粒以及该中粒度陶瓷抛光渣陶粒在建筑材料上的应用。本发明中粒度陶瓷抛光渣陶粒的制备方法具有废渣利用率高、原料来源广泛且制备工艺相对简单、快速、制备周期缩短、节约能源等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒度 陶瓷 抛光 陶粒 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种中粒度陶瓷抛光渣陶粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：调浆：取陶瓷抛光渣与水按重量比为1:0.4～0.8混合均匀，调制成陶瓷抛光渣浆；干燥：将陶瓷抛光渣浆粘附于干燥装置上，在350～450℃温度下干燥3～10min获得陶瓷抛光渣块，陶瓷抛光渣块经破碎处理，制得粒度为1～10mm的陶瓷抛光渣粒；焙烧：干燥步骤中制得的陶瓷抛光渣粒不经冷却立即转移至烧结室中，500～800℃条件下粘连烧结20～30min，再转移至800～1000℃条件下半熔融烧结10～15min，最后转移至1000～1150℃条件下发泡膨胀3～8min，制得发泡陶粒；出料：发泡陶粒自然冷却，制得粒径为5～15mm的中粒度陶瓷抛光渣陶粒；其中，所述陶瓷抛光渣的粒径为0.4～50μm，所述干燥装置设置于烧结室尾部。
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