[发明专利]半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置有效
| 申请号： | 201810847604.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110310903B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 太駄俊彦;黑泽哲也;福田昌利 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一形态提供一种将多个半导体芯片积层时不会产生连接不良的半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置。在载置于载置台上的支撑衬底上安装半导体芯片或者半导体芯片的积层体的实施方式的半导体制造方法具备以下步骤：正在进行半导体芯片或者积层体的安装处理中，判定是否满足特定的条件；在判定为满足特定的条件的情况下，使到目前为止安装在支撑衬底上的半导体芯片或者积层体和支撑衬底一起退避；在退避后，判定是否重新开始半导体芯片或者积层体的安装处理；当判定为重新开始安装处理时，使已退避的半导体芯片或者积层体返回到退避前的位置继续进行安装处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
