[发明专利]一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法，包括：1)选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料；2)选择使用脉冲激光沉积技术作为薄膜生长手段，控制生长温度500℃～800℃；控制氧气分压在10Pa～20Pa；控制激光能量在1.5J/cm2～3J/cm2，频率在1Hz～10Hz；本发明制备出的钙钛矿结构的薄膜经X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电力显微镜(PFM)分析，生长得到的薄膜具有良好的织构结晶特性，膜层厚度300nm以内可控；而且薄膜表面平整，均方根粗糙度在1nm之内；生长的薄膜具有压电性，具有转移至任意衬底的潜力。

主权项

1.一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料；步骤2：使用脉冲激光沉积法生长薄膜；其中，生长温度为500℃～800℃；氧气分压为10Pa～20Pa；激光能量为1.5J/cm2～3J/cm2，频率为1Hz～10Hz。