[发明专利]一种高温下提高电容的电介质材料制备方法在审
| 申请号： | 201810851462.2 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN108866488A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄传威;邱培琪;金菲 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高温下提高电容的电介质材料制备方法，该发明属于电容器元件及其材料制备技术领域。本发明采用脉冲激光沉积法制备锆钛酸铅Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜，通过选取特定激光能量密度获取特定晶格大小的薄膜，通过优化薄膜的S(晶格参数a和b的乘积)和d(晶格参数c)值来提高电容值。该方法可以克服电容器在高温使用过程中电容减小，损耗值增大寿命缩短的现象。此外本方法所用激光能量较低，工艺简单，效率高，可操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 薄膜 电介质材料 激光能量 晶格参数 制备 电容器 材料制备技术 脉冲激光沉积 电容器元件 电容减小 高温使用 锆钛酸铅 晶格 优化 | ||
【主权项】：
1.一种高温下提高电容的电介质材料的制备方法，其特征在于，通过脉冲激光沉积技术在C轴单晶衬底上生长锆钛酸铅Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜，在动态氧气氛围中沉积后冷却到室温得到薄膜；通过选取特定激光能量密度即可得到特定晶格大小的薄膜，通过优化薄膜的S和d值来提高电容值。
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