[发明专利]一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路在审

专利信息
申请号: 201810851481.5 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN108649938A 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 柳树渡;李茂华;孙志新 申请(专利权)人: 深圳英飞源技术有限公司
主分类号: H03K17/081 分类号: H03K17/081;H03K17/60;H03K17/74
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路,包括推挽电路、RCD钳位电路、负压电路、RCD电路、栅极电阻R2和MOS管S1,负压电路由电阻R1、电容C1、电容C2和稳压二极管D1组成,MOS管S1的源极与所述稳压二极管D1的阴极连接,稳压二极管D1的阳极与所述供电电源地电平连接,所述电容C2与所述稳压二极管D1并联连接,电容C1的一端与所述推挽电路的供电电源连接,电容C1的另一端与所述MOS管S1的源极连接;本发明采用该电路能够有效减小MOS管的GS正向和负向驱动尖峰电压,提高MOS管的可靠开通和关断,具有电路结构简单,性能可靠等优点。
搜索关键词: 电容 稳压二极管 负向 尖峰 负压电路 驱动电压 推挽电路 阴极 供电电源地 阳极 并联连接 电路结构 供电电源 尖峰电压 源极连接 栅极电阻 电阻 关断 减小 源极 正向 电路 驱动 开通
【主权项】:
1.一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路,其特征在于:包括推挽电路、RCD钳位电路、负压电路、RCD电路、栅极电阻R2和MOS管S1,所述负压电路由电阻R1、电容C1、电容C2和稳压二极管D1组成,所述MOS管S1的源极与所述稳压二极管D1的阴极连接,所述稳压二极管D1的阳极与所述供电电源地电平连接,所述电容C2与所述稳压二极管D1并联连接,所述电容C1的一端与所述推挽电路的供电电源连接,所述电容C1的另一端与所述MOS管S1的源极连接,所述电阻R1与所述电容C1并联连接;所述RCD钳位电路由电阻R3、电容C3和二极管D2组成,所述二极管D2的阴极与所述MOS管的栅极连接,所述二极管D2的阳极与所述电容C3的一端连接,所述电容C3的另一端与所述MOS管的源极连接,所述电阻R3一端与二极管D2的阳极连接,所述电阻R3的另一端与所述推挽电路地电平连接。
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