[发明专利]一种山樱花组培快繁方法

摘要

本发明公开了一种山樱花组培快繁方法，该方法对山樱花的组织培养各个步骤进行了充分的试验，通过试验摸索出了适合山樱花组培的最佳培养条件，建立了山樱花组培快繁体系，克服了传统的扦插、嫁接等繁殖方法需要大量的母株，还需花费大量人力、物力、财力、时间，且繁殖系数低，成苗慢的问题。其增殖系数大、生根率好，培养周期短，且成活率高。

主权项

1.一种山樱花组培快繁方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)外植体的选择：选择生长旺盛，无病虫害、新发出时间短的带休眠腋芽的嫩枝条为外植体材料；(2)将外植体消毒；(3)启动培养：将经过消毒处理过的外植体茎段切成2‑3cm的小段，并保证每小段上有1个休眠腋芽，用无菌刀片先将茎段上下端切口褐化的部分切去，迅速将腋芽茎段的芽向上接种到启动培养基上，接种完成后放于培养室中培养；所述启动培养基为：MS培养基+6‑BA 2～3mg/L+NAA 0.2～0.5mg/L+蔗糖30g/L+卡拉胶8g/L；培养条件为：温度25±2℃，光照时间为10h/d，光照强度为1500～2000Lx，湿度为60％～65％，PH值5.8；(4)增殖培养：第一次增殖培养继续使用启动培养基，在培养40d以后，将新萌发的侧芽嫩茎从外植体茎段上切下来接种到增殖培养基上；开始增殖后第2轮到第5轮的低代数增殖培养选用的增殖培养基为：1/2MS培养基+6‑BA 1～2mg/L+NAA 0.05～0.2mg/L+蔗糖30g/L+卡拉胶8g/L；第6轮以后的高代数增殖培养基要改为：MS培养基+6‑BA 1～1.5mg/L+NAA 0.1～0.2mg/L+蔗糖30g/L+卡拉胶8g/L；增殖培养各阶段培养条件均为：培养条件为：温度25±2℃，光照时间为12h/d，光照强度为2000～2500Lx，60％～65％，pH 5.8～6.2；(5)生根培养：将增殖阶段后期已经达到生根要求，即苗株高度3cm以上的大苗切去茎基部的愈伤组织和无效增殖芽，接种到生根培养基上，所述生根培养基为：MS培养基+IBA 0.2mg/L+NAA 0.2mg/L+AC 0.1mg/L+蔗糖30g/L+卡拉胶8g/L；培养条件为：温度28±2℃，光照时间为8h/d，光照强度为1000～1500Lx，湿度为70％～80％，pH 6.0～6.2；(6)炼苗和移栽。