[发明专利]用于GEM探测器放大单元的阻性基材、制备方法及支架有效
| 申请号： | 201810851559.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109166784B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;丰建鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01J43/10 | 分类号： | H01J43/10;H01J9/12;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/50 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种用于GEM探测器放大单元的阻性基材，包括：Apical基底层；以及DLC薄膜，分别形成于Apical基底层的正反表面上，一方面作为探测器放大单元的阻性基材，另外也可用于保护所述Apical基底层；其中，Apical基底层正反表面上的DLC薄膜在同一条件下溅射得到。本公开实施例提供的用于GEM探测器放大单元的阻性基材、制备方法及支架中Apical基底层正反面的DLC薄膜在同一条件下溅射得到，能够抵消DLC薄膜对于Apical基底层的内应力，使得薄膜平整均匀，并且DLC薄膜厚度可达1微米左右，能够在GEM探测器刻蚀加工时对绝缘Apical基底层起到保护的作用，此外，该DLC薄膜的面电阻值能够控制在几十MΩ/□至几百MΩ/□之间能够有效抑制探测器的打火放电。 | ||
| 搜索关键词： | 基底层 探测器 放大单元 基材 阻性 正反表面 溅射 支架 制备 有效抑制 面电阻 放电 打火 绝缘 可用 刻蚀 薄膜 抵消 平整 加工 | ||
【主权项】：
1.一种用于GEM探测器放大单元的阻性基材，包括：/nApical基底层；以及/nDLC薄膜，分别形成于所述Apical基底层的正反表面上，用于探测器放大单元的阻性电极，以及保护所述Apical基底层；/n其中，所述Apical基底层正反表面上的DLC薄膜在同一条件下溅射得到。/n
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