[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201810855743.5 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN109285896B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 张俊兵;王传红;刘淑华 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;刘艳丽 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池,包括n型硅基体,所述n型硅基体表面设有轻掺杂层,所述轻掺杂层表面设有钝化介质层,所述钝化介质层表面设有多晶硅薄膜,所述多晶硅薄膜上设有金属接触电极。该电池对n型硅基体进行轻掺杂并有效控制轻掺杂的浓度,能够有效地减小金属接触区域对超薄钝化介质层的损伤,能更能够发挥好其电学性能。还公开了上述太阳能电池的制备方法,该方法通过在硅基体表面上进行轻掺杂后,进一步设置钝化介质层和多晶硅薄膜,并对多晶硅薄膜进行了高温退火以实现晶化处理,提升了多晶硅薄膜的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括n型硅基体(1),其特征是:在所述n型硅基体(1)表面设有轻掺杂层(2),在所述轻掺杂层(2)表面设有钝化介质层(3),在所述钝化介质层(3)表面设有多晶硅薄膜(4),在所述多晶硅薄膜(4)上设有金属接触电极(5)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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