[发明专利]一种MWT太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201810855777.4 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN108922936A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 张俊兵;尹海鹏;蒋秀林 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;刘艳丽 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种MWT太阳能电池,包括n型硅基体,在所述n型硅基体中设有将正面电极引至背面的通孔,在所述n型硅基体背面设有介质膜,在所述介质膜上设有选择性掺杂多晶硅薄膜,所述选择性掺杂多晶硅薄膜包括非掺杂多晶硅薄膜和掺杂多晶硅薄膜,所述非掺杂多晶硅薄膜包围所述通孔,剩余区域则为掺杂多晶硅薄膜。其优化了背面钝化结构,采用了选择性掺杂多晶硅薄膜,掺杂多晶硅薄膜能提供优越的场钝化和表面钝化,载流子可以被选择性地隧穿过氧化层达到金属电极,而非掺杂多晶硅薄膜能有效解决漏电和短路问题。本发明的还公开了上述MWT太阳能电池的制备方法,该方法能与现有工艺兼容,成本低。 | ||
搜索关键词: | 掺杂多晶硅薄膜 非掺杂多晶硅 多晶硅薄膜 选择性掺杂 太阳能电池 薄膜 介质膜 通孔 制备 载流子 背面钝化结构 漏电 表面钝化 短路问题 工艺兼容 金属电极 剩余区域 有效解决 正面电极 场钝化 氧化层 背面 穿过 包围 优化 | ||
【主权项】:
1.一种MWT太阳能电池,包括n型硅基体(1),在所述n型硅基体(1)中设有将正面电极引至背面的通孔(2),在所述n型硅基体(1)背面设有介质膜(3),其特征是:在所述介质膜(3)上设有选择性掺杂多晶硅薄膜(4),所述选择性掺杂多晶硅薄膜(4)包括非掺杂多晶硅薄膜(41)和掺杂多晶硅薄膜(42),所述非掺杂多晶硅薄膜(41)包围所述通孔(2),剩余区域则为掺杂多晶硅薄膜(42)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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