[发明专利]垂直存储器件

摘要

一种垂直存储器件被提供。该垂直存储器件包括衬底、第一栅电极、沟道、第一布线和第二布线。衬底包括单元区域和外围电路区域。第一栅电极在衬底的单元区域上在第一方向上彼此间隔开，第一方向基本上垂直于衬底。沟道在单元区域上在第一方向上延伸穿过第一栅电极的一部分。第一布线形成在单元区域上，并且设置在第一层级处，该第一层级在第一方向上比其上分别形成第一栅电极的栅电极层级更高。第二布线形成在外围电路区域上，并且设置在第一层级处和在比栅电极层级更高的第二层级处。

主权项

1.一种垂直存储器件，包括：包括单元区域和外围电路区域的衬底；在所述衬底的所述单元区域上彼此间隔开的多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在基本上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；沟道，其在所述衬底的所述单元区域上沿所述第一方向延伸穿过所述多个第一栅电极的至少一部分；在所述衬底的所述单元区域上的多个第一布线，所述多个第一布线设置在多个第一层级上，所述多个第一层级在所述第一方向上比其上分别形成所述多个第一栅电极的多个栅电极层级更高；以及在所述衬底的所述外围电路区域上的多个第二布线，所述多个第二布线设置在所述多个第一层级处和在比所述多个栅电极层级更高的第二层级处。