[发明专利]基板干燥方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201810858104.4 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109427624B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 奥谷学;菊本宪幸;吉原直彦;阿部博史 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置，该基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体供给工序，向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体；气化冷却工序，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。 | ||
| 搜索关键词： | 干燥 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板干燥方法，使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体供给工序，向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体；气化冷却工序，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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