[发明专利]后栅极硅锗沟道凝结及其制造方法有效
| 申请号： | 201810861103.5 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109390386B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 乔治·罗伯特·姆芬格;莱恩·史波尔;T·J·麦卡德尔;朱德尚·罗伯特·侯尔特 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及后栅极硅锗沟道凝结及其制造方法，其提供通过后栅极热凝结及氧化高锗百分比沟道层而在FinFET或FDSOI装置中形成分级硅锗百分比PFET沟道的方法及所产生的装置。数个具体实施例包括：形成栅极介电层于形成在衬底上方的多个硅鳍片上方；在各鳍片上方形成栅极；形成HM及间隔体层于各栅极的侧壁上方及各栅极的侧壁上；在各鳍片中形成邻近该栅极及间隔体层的u形空腔；在各u形空腔中且沿着各鳍片的数个侧壁外延成长无掺杂高百分比硅锗层；热凝结该高百分比硅锗层，以在该衬底及数个鳍片底下形成无掺杂低百分比硅锗；以及形成一S/D区于在各u形空腔中的该高百分比硅锗层上方，该S/D区的上表面低于该栅极介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 沟道 凝结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：形成多个硅(Si)鳍片于硅衬底上方；形成栅极介电层于该多个硅鳍片上方；形成栅极于该多个硅鳍片中的每一者上方；形成硬掩模(HM)及间隔体层于各栅极的数个侧壁上方及各栅极的数个侧壁上；在该多个硅鳍片中形成邻近该栅极及间隔体层的一u形空腔；在各u形空腔中且沿着各硅鳍片的数个侧壁外延成长无掺杂高百分比硅锗(SiGe)层；热凝结该无掺杂高百分比硅锗层，以在该衬底及数个硅鳍片底下形成无掺杂低百分比硅锗；以及形成源极/漏极(S/D)区于在各u形空腔中的该无掺杂高百分比硅锗层上方，该S/D区的上表面低于该栅极介电层。
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