[发明专利]封装方法和封装结构在审
申请号: | 201810861757.8 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109037085A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 梁舰;吴安琪;蔡诗端;王艳华 | 申请(专利权)人: | 苏州福莱威封装技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215200 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种封装方法,在封装盖板位于第一密封圈包围的范围内放置气体释放剂,利用加热或激光烧蚀处理气体释放剂,使气体释放剂分解产生或释放出保护性气体,降低密封空间内外的压强差,减弱外部水氧的渗入趋势,同时增强器件的散热能力,保护密封空间内器件的稳定性。本发明还公开了一种在密封空间内设置气体释放剂的封装结构。 | ||
搜索关键词: | 气体释放剂 密封空间 封装结构 封装 密封圈 保护性气体 处理气体 封装盖板 激光烧蚀 散热能力 释放剂 压强差 水氧 加热 渗入 分解 包围 释放 外部 | ||
【主权项】:
1.一种封装方法,其特征在于,包括以下步骤:S1提供一待封装的基板,所述基板包括功能区和位于所述功能区外围的封装区;S2提供一封装盖板,在所述封装盖板上与所述基板的封装区的预设位置涂覆封装材料形成第一密封圈;S3在封装盖板位于所述第一密封圈包围的范围内预设位置处放置气体释放剂;S4提供一真空环境,将所述基板与所述封装盖板对准并相对贴合,利用封接设备对第一密封圈进行封接固化,使基板、封装盖板和第一密封圈形成一密封空间;S5利用加热或激光烧蚀处理气体释放剂,使气体释放剂分解产生或释放出保护性气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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