[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810861886.7 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110797261B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，方法包括提供基底；在基底上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅极层，栅极层包括位于栅介质层上的第一半导体层和位于第一半导体层上的第二半导体层；去除第一半导体层的部分侧壁，得到剩余第一半导体层，剩余第一半导体层、栅介质层和第二半导体层围成凹槽；在凹槽内形成内部侧墙层；在栅极层两侧的基底中形成源漏掺杂区；形成覆盖栅极层的侧壁和源漏掺杂区的层间介质层；去除剩余第一半导体层和第二半导体层，形成开口；去除开口底部的栅介质层和内部侧墙层。通过内部侧墙层，可以避免栅极结构与源漏掺杂区发生短路，使半导体器件的电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成栅介质层；/n在所述栅介质层上形成栅极层，所述栅极层包括位于所述栅介质层上的第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；/n去除所述第一半导体层的部分侧壁，得到剩余第一半导体层，所述剩余第一半导体层、所述栅介质层和所述第二半导体层围成凹槽；/n在所述凹槽内形成内部侧墙层；/n在所述栅极层两侧的基底中形成源漏掺杂区；/n形成覆盖所述栅极层的侧壁和所述源漏掺杂区的层间介质层；/n去除所述剩余第一半导体层和所述第二半导体层，形成开口；/n去除所述开口底部的所述栅介质层和所述内部侧墙层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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