[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201810862119.8 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109004032B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘军;周斌;苏同上;宋威;李伟;罗标;郝朝威 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。该薄膜晶体管包括衬底以及位于所述衬底上的有源层、源电极、漏电极、栅电极和遮光部，源电极和漏电极分别与所述有源层电连接，栅电极和遮光部位于所述有源层的远离所述衬底的一侧，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。遮光部可以对射向有源层的光线进行遮挡，提高薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底以及位于所述衬底上的有源层；分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极；以及栅电极和遮光部，位于所述有源层的远离所述衬底的一侧；其中，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。
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