[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810862395.4 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110797406A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 高桦;孙贵鹏;罗泽煌 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；栅极结构，设置在所述衬底上，包括栅极介电层和栅极介电层上的栅极层；漏极区，设置在所述栅极结构的一侧的衬底中，与所述漂移区相接触；源极区，设置在所述栅极结构的另一侧的衬底中；及类栅结构，设置在所述漂移区上方、所述栅极结构与所述漏极区之间，所述类栅结构的材质与所述栅极层相同，所述类栅结构与所述栅极层之间绝缘。本发明通过在栅极层与漏极区之间的漂移区上方设置与栅极层之间绝缘的类栅结构，能够改善器件的HCI特性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极层 衬底 栅极结构 漂移区 栅结构 漏极区 横向扩散金属氧化物半导体器件 栅极介电层 绝缘 源极区 制造 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n漂移区，设置在所述衬底中；/n栅极结构，设置在所述衬底上，包括栅极介电层和栅极介电层上的栅极层；/n漏极区，设置在所述栅极结构的一侧的衬底中，与所述漂移区相接触；/n源极区，设置在所述栅极结构的另一侧的衬底中；及/n类栅结构，设置在所述漂移区上方、所述栅极结构与所述漏极区之间，所述类栅结构的材质与所述栅极层相同，所述类栅结构与所述栅极层之间绝缘。/n
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