[发明专利]具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法有效
| 申请号： | 201810862653.9 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108878535B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王海艇;赵薇;宇宏;吴旭升;臧辉;胡振宇 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法，揭示一种包括至少一个鳍式场效应晶体管及至少一个单扩散中断(SDB)型隔离区的半导体结构，以及形成该半导体结构的方法。在该方法中，在半导体鳍片内的隔离区上方形成隔离凸块并在该凸块上形成侧间隙壁。在用以降低该凸块的高度并自该鳍片的侧壁移除隔离材料的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁防止横向蚀刻该凸块。在用以在该鳍片中形成源/漏凹槽的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁保护邻近该隔离区的该半导体材料。因此，各凹槽的侧及底部包括半导体表面并最大限度地降低其中所形成的外延源/漏区的顶部表面的角度，从而最大限度地降低未着陆源/漏接触的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 中断 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体鳍片，具有第一顶部表面并包括主动装置区；隔离区，位于该半导体鳍片中，横向邻近该主动装置区，该隔离区具有第二顶部表面；隔离凸块，位于该隔离区的该第二顶部表面上；侧间隙壁，位于该隔离凸块上并具有位于该半导体鳍片的该第一顶部表面上方并与其紧邻的至少一个外部；以及晶体管，包括位于该主动装置区内的沟道区；以及位于该沟道区与该隔离区之间的源/漏区，该源/漏区具有与该沟道区相邻的第一侧以及相对该第一侧并与该隔离区物理隔开的第二侧。
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