[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810863619.3 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109302158B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，包括生长衬底、压电薄膜、顶电极和底电极；压电薄膜在生长衬底上外延生长出，压电薄膜的上表面制备得到顶电极，生长衬底上深刻蚀有下引孔，下引孔贯穿成长衬底和压电薄膜；生长衬底的背面刻蚀形成空腔，生长衬底的下表面制备得到底电极。本发明还提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法。本发明的薄膜体声波谐振器结构简单，不易塌陷，可以很好的改善压电膜的品质，将成为适用于未来高频、高功率场合下射频滤波器的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括生长衬底、压电薄膜、顶电极和底电极；所述压电薄膜在生长衬底上外延生长出，所述压电薄膜的上表面制备得到顶电极，所述生长衬底上深刻蚀有下引孔，所述下引孔贯穿成长衬底和压电薄膜；所述生长衬底的背面刻蚀形成空腔，生长衬底的下表面制备得到底电极。
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