[发明专利]一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件在审
| 申请号： | 201810863748.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109192778A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 吴丽娟;黄也;朱琳;雷冰;吴怡清;张银艳 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件。本发明主要特征在于：在漂移区中引入分离栅，增加栅极和漏极之间栅氧化层的厚度来降低栅漏电荷QGD，同时优化体电场分布，提高器件的击穿电压；在介质槽内引入双纵向场板，源纵向场板减小了栅漏之间的接触面积，进一步降低了器件的栅漏电荷QGD，并且辅助耗尽漂移区降低器件的导通电阻，进一步调制器件的体内电场分布来提高器件的击穿电压；利用纵向RESURF技术在介质槽右侧引入纵向P柱，进一步调制器件的体内电场，提高器件击穿电压。最终达到降低栅漏电荷、提高器件耐压以及降低比导通电阻的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向场 栅漏电荷 分离栅 调制器件 功率器件 击穿电压 介质槽 漂移区 槽型 引入 体内 功率半导体技术 器件击穿电压 比导通电阻 电场 导通电阻 电场分布 降低器件 栅氧化层 体电场 减小 漏极 耐压 栅漏 耗尽 优化 | ||
【主权项】：
1.一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件，其特征在于：其元胞结构包括第二掺杂类型衬底(1)、SiO2埋氧层(21)、第一掺杂类型漂移区(31)、介质槽区(22)、第二掺杂类型条(43)、第二掺杂类型阱区(42)、第一掺杂类型源端重掺杂区(32)、第二掺杂类型源端重掺杂区(41)、第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)、浅槽栅接触电极(51)、源极接触电极(52)、漏极接触电极(53)、栅极浮空场板(54)、源场板(55)、漏场板(56)，栅氧化槽(23)、栅源间覆盖介质层(24)、源漏间覆盖介质层(25)；所述第二掺杂类型衬底(1)上表面设置有SiO2埋氧层(21)；所述SiO2埋氧层(21)上端面设置有第一掺杂类型漂移区(31)；所述第一掺杂类型漂移区(31)中设置有介质槽区(22)、第二掺杂类型条(43)和栅氧化槽(23)；所述介质槽区(22)内部左侧置有源场板(55)，右侧置有漏场板(56)；所述源场板(55)左侧不与介质槽区(22)边缘邻接，漏场板(56)右侧不与介质槽区(22)边缘邻接；所述漏场板(56)右部设置有第二掺杂类型条(43)；所述第二掺杂类型条(43)左边缘与介质槽区(22)边缘接触且平齐；所述第二掺杂类型条(43)上方与第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)相连；所述第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)上端面邻接漏极接触电极(53)；所述漏极接触电极(53)与源极接触电极(52)通过表面覆盖氧化层(25)相隔离，且所述表面覆盖氧化层(25)在介质槽区(22)上端面上方，所述源极接触电极(52)下端面置有第二掺杂类型阱区(42)，所述第二掺杂类型阱区(42)内部中包括相互独立的第一掺杂类型源端重掺杂区(32)和第二掺杂类型源端重掺杂区(41)；所述第二掺杂类型阱区(42)左侧设置有栅氧化槽(23)；所述栅氧化槽(23)内部设置有浅槽栅接触电极(51)和栅极浮空场板(54)。所述浅槽栅接触电极(51)与源极接触电极(52)通过表面覆盖氧化层(24)相隔离。
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