[发明专利]3D NAND闪存的读取方法有效
| 申请号： | 201810864131.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109065091B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;靳磊;黄莹;魏文喆;王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种3D NAND闪存的读取方法，所述3D NAND闪存包括在三维空间内阵列排布的多个存储单元，构成多个存储串，每一个存储串的顶部的晶体管为上选择管，所述上选择管连接至位线，存储串底部的晶体管为下选择管，位于同一层内的多个存储单元组成存储行，位于同一存储行内的存储单元的栅极均连接至同一字线，待读取存储单元所在的存储串作为选中串，其特征在于，所述读取方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段步骤，其中，在所述预导通阶段中对位线施加持续的预充电压；同时，导通选中串的上选择管和非选中串的上选择管，关断选中串的下选择管和非选中串的下选择管。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND闪存的读取方法，所述3D NAND闪存包括在三维空间内阵列排布的多个存储单元，构成多个存储串，每一个存储串的顶部的晶体管为上选择管，所述上选择管连接至位线，存储串底部的晶体管为下选择管，位于同一层内的多个存储单元组成存储行，位于同一存储行内的存储单元的栅极均连接至同一字线，待读取存储单元所在的存储串作为选中串，其特征在于，所述读取方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段步骤，其中，在所述预导通阶段中对位线施加持续的预充电压；同时，导通选中串的上选择管和非选中串的上选择管，关断选中串的下选择管和非选中串的下选择管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810864131.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
