[发明专利]MEMS传感器以及提供和运行MEMS传感器的方法有效
| 申请号： | 201810865573.9 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109319727B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | A·德厄;M·菲尔德纳;A·韦斯鲍尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H04R19/04;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张鹏 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MEMS传感器包括具有可移动电极和定子电极的MEMS装置，定子电极与可移动电极相对地布置。MEMS传感器包括连接到定子电极的第一偏置电压源，第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压施加到定子电极。MEMS传感器还包括通过电容耦合连接到定子电极的共模读出电路，共模读出电路包括第二偏置电压源，第二偏置电压源被选择为将第二偏置电压施加到电容耦合的背离定子电极的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 以及 提供 运行 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS传感器(10；10'；20；30；40；50；60；70；80；90)，具有以下特征：MEMS装置(12；12')，包括：可移动电极(14；141、142)定子电极(16)，所述定子电极与所述可移动电极(14；141、142)相对地布置；连接到所述定子电极(16；16a、16b)的第一偏置电压源(18；181、182)，所述第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压(V1、V5)施加到所述定子电极(16、16a、16b)；和通过电容耦合(24)连接到所述定子电极(16；16a、16b)的共模读出电路(22)，所述共模读出电路包括第二偏置电压源(26)，所述第二偏置电压源被设计为将第二偏置电压(U2)施加到所述电容耦合(24)的背离所述定子电极(16；16a、16b)的一侧。
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