[发明专利]一种铜掺杂钛酸钡/镍锌铁氧体复相薄膜材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810866019.2 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN109234678B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 杜丕一;月扬宇;顾健;王宗荣;马宁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种铜掺杂钛酸钡/镍锌铁氧体复相薄膜材料及制备方法。该薄膜铜掺杂镍锌铁氧体相和钛酸钡相呈均匀致密分布,其中镍锌铁氧体相沿(111)晶面取向生长。该薄膜通过射频磁控溅射法并通过在溅射源靶材外侧外加带窗口的铜罩同步引入铜掺杂离子,以先获得非晶沉积薄膜,后经过在空气气氛下热处理的方法制得。相比于不掺杂的钛酸钡/镍锌铁氧体复相薄膜,这种制备方法可以获得在复相体系中铁磁相具有(111)取向生长特征的铁电、铁磁两相复合薄膜。这种铁磁相(111)取向生长的铁电、铁磁两相复合薄膜有利于实现高性能磁、电耦合,相对制备工艺较为简单,成本低廉。
搜索关键词: 一种 掺杂 钛酸钡 铁氧体 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种铜掺杂钛酸钡/镍锌铁氧体复相薄膜材料,其特征在于,该薄膜由钛酸钡、铜掺杂的镍锌铁氧体两相复合而成,可表达为Cu掺杂xBaTiO3‑(1‑x)Ni0.5Zn0.5Fe2O4,其中x=0.2~0.8,且Cu掺入镍锌铁氧体中取代Ni,Cu在Ni晶格位置的占比为20~30%;所述的薄膜在Si(111)基板上生长,且其中镍锌铁氧体晶相沿(111)面取向生长。
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