[发明专利]多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810869392.3 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN109052305B 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;王旭 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81C1/00
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李坤
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开提供一种多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法,该多气隙阻性井型探测器放大单元由下至上依次包括:底部DLC层、底部Apical层、Prepreg层、中部DLC层、顶部Apical层以及顶部DLC层;其中,该放大单元的上表面上形成有多个起始于顶部DLC层的上表面,终止于中部DLC层的上表面的井型孔。本公开提供的多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法中的多气隙阻性井型探测器放大单元是一个整体,不再需要依靠工作时电极产生的静电力来把单元上下两部分吸在一起,因此,在探测器打火放电,工作电压改变时,放大单元也不会因为静电力的改变而造成井型结构的变化,因此能极大的提高探测器的稳定性。
搜索关键词: 放大单元 探测器 多气隙 井型 阻性 上表面 基材 制备 静电力 电极产生 工作电压 井型结构 井型孔 放电 打火
【主权项】:
1.一种多气隙阻性井型探测器放大单元,其由下至上依次包括:/n底部DLC层;/n底部Apical层,所述底部DLC层镀在其下表面;/nPrepreg层,粘接在所述底部Apical层上;/n中部DLC层,粘接在所述Prepreg层上;/n顶部Apical层,所述中部DLC层镀在其下表面;以及/n顶部DLC层,镀接在所述顶部Apical层上;/n其中,该放大单元的上表面上形成有多个起始于所述顶部DLC层的上表面,终止于所述中部DLC层的上表面的井型孔。/n
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