[发明专利]向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质

摘要

本公开涉及向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质。在使用氧自由基那样的氧活性种来在钨膜上形成氧化硅膜的情况下，抑制钨膜的氧化。向钨膜上形成氧化硅膜的方法包括：第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，使含硅气体吸附于钨膜来形成硅晶种层；第三工序，然后，对被处理体进行退火，通过自然氧化膜与硅晶种层的反应来形成氧化硅膜；以及第四工序，然后，通过使用含硅气体与氧活性种的ALD来形成ALD氧化硅膜。

主权项

1.一种向钨膜上形成氧化硅膜的方法，该方法包括：第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，使含硅气体吸附于所述钨膜来形成硅晶种层；第三工序，然后，对所述被处理体进行退火，通过所述自然氧化膜与所述硅晶种层的反应来形成氧化硅膜；以及第四工序，然后，通过使用含硅气体与氧活性种的原子层沉积即ALD来形成ALD氧化硅膜。