[发明专利]一种基于Nb2O5的透明导电氧化物薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810870166.7 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN108914077A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 李兴鳌;张杰;陈爱诗;毛巍威;张健 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/08
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 210023 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于Nb2O5的透明导电氧化物薄膜及其制备方法,该薄膜由衬底、底部金属氧化物薄膜层、中间金属层和顶部金属氧化物薄膜层组成,其中,衬底为玻璃,底部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的Nb2O5层,中间金属层为采用直流磁控溅射的方法沉积的Ag层,顶部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的ZnO层,底部金属氧化物薄膜层和顶部金属氧化物薄膜层的厚度均为35~55nm,中间金属层的厚度为8~20nm。该薄膜不仅价格低廉、无毒环保,而且是在室温下制备,无需加热,简化了制备工艺,具备取代传统的ITO被广泛应用在光电材料技术领域的可能。
搜索关键词: 金属氧化物薄膜层 中间金属层 沉积 制备 透明导电氧化物薄膜 射频磁控溅射 衬底 薄膜 采用直流 磁控溅射 光电材料 无毒环保 制备工艺 传统的 加热 玻璃 应用
【主权项】:
1.一种基于Nb2O5的透明导电氧化物薄膜,其特征在于,该薄膜由衬底、底部金属氧化物薄膜层、中间金属层和顶部金属氧化物薄膜层组成,其中,衬底为玻璃,底部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的Nb2O5层,中间金属层为采用直流磁控溅射方法沉积的Ag层,顶部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的ZnO层。
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