[发明专利]一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳及其制备方法有效
| 申请号： | 201810871235.6 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109037635B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 江曼 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 蓝天知识产权代理(浙江)有限公司 33229 | 代理人： | 孙炜 |
| 地址： | 318000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子电池材料的技术领域，涉及一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳，所述空心碳部分石墨化，所述硅纳米层由硅高温气化均匀涂覆在空心碳的内壁，所述空心碳的高温石墨化和硅的高温气化同步进行；本发明还提供了其制备方法，(1)将微米级或亚微米级硅颗粒的外表面包覆可转化为碳的材料，高温处理形成碳包覆，再对内部的硅颗粒进行化学刻蚀，形成碳包覆于硅的复合材料；(2)在2100‑3200摄氏度的条件下使包覆于碳内的硅气化，使硅蒸汽涂覆于空心碳内壁形成硅纳米层，同步使包覆的碳部分石墨化。本发明提供的内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳，满足工业化应用的四个条件，首次放电比容量高，首次库伦效率高，循环性能高以及工业化成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内壁 涂覆硅 纳米 材料 空心 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳，其特征在于，所述空心碳部分石墨化，所述硅纳米层由硅高温气化均匀涂覆在空心碳的内壁，所述空心碳的高温石墨化和硅的高温气化同步进行。
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