[发明专利]一种减小晶圆键合对准偏差的方法在审
| 申请号： | 201810871529.9 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109243974A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴立枢;戴家赟;孔月婵 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/68 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减小晶圆键合对准偏差的方法，包括：1）在A晶圆表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层图形化金属；2）在B晶圆表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层与图形化金属相同图形的低熔点金属；3）在A晶圆表面旋涂一层BCB；4）对A晶圆表面的BCB进行软固化；5）对A晶圆表面的BCB进行图形化干法刻蚀，直至图形化金属表面的BCB刻蚀干净；6）A晶圆和B晶圆正面相对，通过对准标记对准，升温升压，以实现金属和BCB键合。优点：采用低熔点金属预键合加固的方法，减少因为晶圆键合时BCB流动而产生对准偏差的问题，提高晶圆间BCB键合的对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆表面 图形化金属 对准偏差 晶圆 低熔点金属 晶圆键合 电镀 减小 键合 蒸发 对准 升压 对准标记 干法刻蚀 晶圆正面 图形化 预键合 刻蚀 旋涂 固化 金属 流动 | ||
【主权项】：
1.一种减小晶圆键合对准偏差的方法，其特征是包括以下步骤：1）A晶圆表面镀金属；2）B晶圆表面镀金属；3）A晶圆表面旋涂BCB；4）A晶圆表面BCB软固化；5）BCB图形化干法等离子体刻蚀；6）晶圆间BCB键合。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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