[发明专利]FINFET共源共栅横向扩散半导体装置有效
| 申请号： | 201810872869.3 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109728094B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 清·刘;伊藤明 | 申请（专利权）人： | 安华高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种finfet共源共栅侧向扩散半导体装置，包含衬底，其具有包括第一掺杂剂的第一阱区域及包括第二掺杂剂的第二阱区域。半导体装置包含形成于衬底上的半导体鳍结构，至少一个半导体鳍结构具有沿沟道轴线穿过第一阱区域的沟道区域。半导体装置包含形成于半导体鳍结构上的漏极区域及源极区域。第一阱区域及漏极区域经形成以第一操作电压操作，第二阱区域及源极区域经形成以小于第一操作电压的第二操作电压操作。半导体装置包含安置于半导体鳍结构的相应部分上的栅极结构及虚设栅极，虚设栅极安置于栅极结构与漏极区域之间。本申请一或多个实施例解决了浅沟槽隔离质量因较低温度退火而恶化从而导致更大驱动电流降级的更差热载子注入问题。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 共源共栅 横向 扩散 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有包括第一掺杂剂的第一阱区域及包括第二掺杂剂的第二阱区域；一或多个半导体鳍结构，其形成于所述衬底上，所述一或多个半导体鳍结构具有沿着沟道轴线穿过所述第一阱区域的沟道区域；漏极区域，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上；源极区域，其形成于所述一或多个半导体鳍结构上，所述第一阱区域及所述漏极区域经形成而以第一操作电压来操作，所述第二阱区域及所述源极区域经形成而以小于所述第一操作电压的第二操作电压来操作；栅极结构，其安置于所述一或多个半导体鳍结构的至少一部分上；及虚设栅极，其安置于所述一或多个半导体鳍结构的至少一部分上，所述虚设栅极安置于所述栅极结构与所述漏极区域之间。
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