[发明专利]Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810873563.X | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110611011A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杨彦伟;刘宏亮;邹颜;刘格 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 44481 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Be离子扩散保护环APD芯片及其制作方法，所述外延功能层中，所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环。通过所述Be离子注入扩散保护环对扩散区的边缘电场进行弱化，通过离子注入工艺形成Be离子注入扩散保护环，一方面可以有效避免扩散区的边缘提前击穿问题，另外，Be元素的离子注入与Zn元素的扩散工艺完全不同，离子注入主要采用高能离子注入方式，一旦注入完成，其掺杂元素的注入深度不会在后续高温扩散工艺下发生变化，离子注入工艺与扩散工艺可以完全独立控制，互不影响，可以提高制作工艺的稳定性和重复性，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 扩散 中心区域 扩散区 离子注入工艺 扩散工艺 边缘电场 掺杂元素 产品良率 第一区域 独立控制 高能离子 高温扩散 离子扩散 区域设置 外延功能 制作工艺 击穿 弱化 包围 制作 | ||
【主权项】：
1.一种Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述雪崩光电探测器芯片包括：/n外延片，所述外延片包括芯片衬底以及设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层；所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面包括第一区域以及包围所述第一区域的第二区域；所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环；/n钝化层，所述钝化层设置在所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面，且具有露出所述第一区域的开口；/n第一电极，所述第一电极位于所述外延功能背离所述芯片衬底的一侧，所述第一电极与所述Be离子注入扩散保护环电连接；/n第二电极，位于所述芯片衬底背离所述外延功能层的一侧表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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