[发明专利]阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810874262.9 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109065712A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;吕杭炳;刘明;许晓欣;路程;赵盛杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器自下而上依次包括下电极层、铁电材料层和上电极层，其中，所述铁电材料层包括经掺杂的HfO2铁电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 铁电材料层 铁电薄膜 下电极层 掺杂的 电极层 制备 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器自下而上依次包括下电极层、铁电材料层和上电极层，其中，所述铁电材料层包括经掺杂的HfO2铁电薄膜。
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