[发明专利]无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片在审
| 申请号： | 201810876774.9 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108766884A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，属于半导体制造技术领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤a，形成外延层（5）；步骤b，形成耐压环沟槽（2）；步骤c，进行热氧化；步骤d，填充绝缘材料（1）；步骤e，将外延层（5）表面的绝缘材料（1）去除；步骤f，形成肖特基界面（3）；步骤g，去除绝缘材料（1）表面的肖特基界面（3）；步骤h，根据切割线（9）对肖特基芯片进形切割。在本无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，省略了肖特基芯片制造过程中的光刻步骤，大大减少了工艺复杂程度和成本，同时提高了肖特基芯片的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 光刻 芯片 芯片制造 绝缘材料 外延层 去除 半导体制造技术 填充绝缘材料 芯片制造过程 耐压性能 切割线 热氧化 耐压 省略 切割 | ||
【主权项】：
1.无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤a，在衬底（6）的上方形成外延层（5）；步骤b，在外延层（5）表面两侧分别至少划出一个耐压环沟槽（2）；步骤c，进行热氧化，在外延层（5）的表面以及耐压环沟槽（2）的侧壁上形成绝缘物；步骤d，在外延层（5）的表面以及耐压环沟槽（2）内部填充绝缘材料（1）；步骤e，将外延层（5）表面的绝缘材料（1）去除；步骤f，在外延层（5）表面形成肖特基界面（3）；步骤g，将形成于绝缘材料（1）表面的肖特基界面（3）去除；步骤h，在耐压环沟槽（2）中心位置或两个耐压环沟槽（2）对肖特基芯片进形切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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