[发明专利]光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法有效
申请号: | 201810877657.4 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109388018B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 三好将之;一之濑敬 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;崔立宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法。[课题]本发明提供在稳定的条件下高效地对相移膜进行修正的方法及其相关技术。[解决手段]一种在透明基板上具备将遮光膜和半透光膜分别进行图案化而形成的、具有透光部、遮光部和宽度d1(μm)的半透光部的转印用图案的光掩模的修正方法,修正方法具有:确定在半透光部产生的缺陷的工序;和在所确定的缺陷的位置形成修正膜从而形成具有d2(μm)的宽度的修正半透光部的修正膜形成工序,该修正方法中,d13.0,半透光膜对曝光光中所含的代表波长具有透射率T1(%)、并且具有使代表波长的光的相位偏移大致180度的相移特性,修正膜对代表波长具有透射率T2(%)、并且具有使代表波长的光的相位偏移大致180度的相移特性,T2T1且d2d1、或者T2T1且d2d1。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 修正 方法 制造 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模的修正方法,其为在透明基板上具备将遮光膜和半透光膜分别进行图案化而形成的、具有透光部、遮光部和宽度d1μm的半透光部的转印用图案的光掩模的修正方法,该修正方法的特征在于,修正方法具有:具有确定在所述半透光部产生的缺陷的工序;和在所确定的所述缺陷的位置形成修正膜从而形成具有d2μm的宽度的修正半透光部的修正膜形成工序,该修正方法中,d1<3.0,所述半透光膜对曝光光中所含的代表波长具有透射率T1(%)、并且具有使所述代表波长的光的相位偏移大致180度的相移特性,所述修正膜对所述代表波长具有透射率T2(%)、并且具有使所述代表波长的光的相位偏移大致180度的相移特性,T2>T1且d2d1。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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