[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201810878225.5 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109754840B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 金相植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/26;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 赵赫;张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种操作速度提高的半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可以包括多个存储块。外围电路可以对存储器单元阵列执行读取操作。控制逻辑可以控制外围电路的操作。控制逻辑可以控制外围电路对多个存储块中的选择的存储块执行修复列屏蔽操作，对包括在选择的存储块中的第一漏极选择晶体管执行第一测试操作，并且在保留修复列屏蔽操作的结果的同时，对与第一漏极选择晶体管不同的第二漏极选择晶体管执行第一测试操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作半导体存储器装置的方法，包括：执行选择的存储器区域的修复列屏蔽操作；测试所述选择的存储器区域的第一漏极选择晶体管的阈值电压分布；以及测试包括在所述选择的存储器区域中的第二漏极选择晶体管的阈值电压分布，其中保留所述修复列屏蔽操作的结果。
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