[发明专利]全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法

摘要

本发明实施例提供一种全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法。全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：光二极管，位于基板的上部；浮置扩散区，位于基板的上部；储存二极管，位于基板的上部，储存二极管位于光二极管及浮置扩散区之间；第一传输栅极，位于光二极管及储存二极管之间的基板之上；第二传输栅极，位于储存二极管及浮置扩散区之间的基板之上；第一介电层，位于基板之上，且覆盖第一传输栅极及第二传输栅极；遮光层，设于第一介电层上；及光管，穿过遮光层与部分的第一介电层，对应设置于光二极管的上方，光管的折射率大于第一介电层的折射率。

主权项

1.一种全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器，其特征在于，包括：/n一光二极管，位于一基板的上部；/n一浮置扩散区，位于该基板的上部；/n一储存二极管，位于该基板的上部，该储存二极管位于该光二极管及该浮置扩散区之间；/n一第一传输栅极，位于该光二极管及该储存二极管之间的该基板之上；/n一第二传输栅极，位于该储存二极管及该浮置扩散区之间的该基板之上；/n一第一介电层，位于该基板之上，且覆盖该第一传输栅极及该第二传输栅极；/n一遮光层，设于该第一介电层上；及/n一光管，穿过该遮光层与部分的该第一介电层，对应设置于该光二极管的上方，/n其中该光管的折射率大于该第一介电层的折射率。/n