[发明专利]一种铁皮石斛快速成苗的方法

摘要

本发明公开了一种铁皮石斛快速成苗的方法，所述步骤依次包括1）取材与消毒；2）诱导培养，3）增殖分化培养将诱导形成的原球茎转入到增殖分化培养基中，同时部分原球茎开始分化出芽点并长出1～2片小叶，原球茎的增殖与芽分化同时进行；温度26℃，光照度2200~2500lx，光照时间为13h/d；4）生根培养；5）出瓶苗的过渡管理。本发明中通过各步骤的培育，在省去了炼苗环节，大大缩短了培育周期，节省成本的同时，而且保证了成苗的存活率。

主权项

1.一种铁皮石斛快速成苗的方法，其特征在于：所述培养步骤包括如下：1）取材与消毒从铁皮石斛植株上切下长2～5cm的幼嫩茎段，在流水下冲洗，用刷子蘸少许洗衣粉水溶液轻轻刷洗，并经自来水充分洗净，在超净工作台上将茎段放置在75%的酒精中消毒30s后，再用0.1%的HgCl2水溶液浸泡8～10min，无菌水冲洗5～6次；2）诱导培养诱导培养：用解剖刀将铁皮石斛的幼嫩茎段切下，接种在诱导培养基中进行培养；15～20天后，外植体开始萌动，茎段膨大，切面及顶部组织形成疏松组织；继续培养20天后，转入微放置室中，切面及顶部膨大组织的表面形成凹凸不平的颗粒物，随着培养时间的延长，颗粒物长大形成直径1～2mm的类原球茎颗粒物；培养条件为25℃，光照为1900 ~2200lx，光照时间为14h/d；3）增殖分化培养将诱导形成的原球茎转入到增殖分化培养基中，同时部分原球茎开始分化出芽点并长出1～2片小叶，原球茎的增殖与芽分化同时进行；：温度26℃，光照度2200~2500lx，光照时间为13h/d；4）生根培养待增殖芽数量较多时，将高1～2cm、带有2～3片叶的小芽切下转入生根培养基上进行生根培养，培养30天左右，基部开始出现2～3条约1cm长的白色根；，培养条件：温度25‑26℃，光照度1700‑2100 lx，光照时间为13‑14h/d；5）出瓶苗的过渡管理当苗高3cm以上、具3～4片叶时，便可出瓶移栽，移栽前，将生根瓶苗打开瓶盖，然后将瓶苗取出，洗去附着在根部的培养基，用 0.01%的高锰酸钾溶液浸泡8～10min，栽种于已灭菌的碎树皮基质中，放置在遮光度50%～60%、湿度达80%以上的温室中。