[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810879702.X | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109256429B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 章仟益 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法。所述氧化物半导体薄膜晶体管包括：衬底、设于衬底上的栅极、设于栅极及衬底上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、设于氧化物半导体层上的阻挡层以及设于氧化物半导体层及栅极绝缘层上的源极及漏极；所述氧化物半导体层包括：沟道区以及分别位于沟道区两侧的两接触区，源极及漏极分别与两接触区接触，阻挡层位于沟道区上；所述沟道区包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道条，阻挡层包括分别对应位于多个沟道条上的多个阻挡条，能够减少氧化物半导体薄膜晶体管的功耗，提升氧化物半导体薄膜晶体管在绕曲状态下的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底(10)、设于所述衬底(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)及衬底(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的氧化物半导体层(40)、设于所述氧化物半导体层(40)上的阻挡层(50)以及设于所述氧化物半导体层(40)及栅极绝缘层(30)上的源极(60)及漏极(70)；所述氧化物半导体层(40)包括：沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的两接触区(42)，所述源极(60)及漏极(70)分别与两接触区(42)接触，所述阻挡层(50)位于所述沟道区(41)上；所述沟道区(41)包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道条(411)，所述阻挡层(50)包括分别对应位于所述多个沟道条(411)上的多个阻挡条(511)。
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