[发明专利]半导体存储器

摘要

本发明提出一种半导体储存器结构，包括：衬底、字线、位线接触和位线，其中，相邻两字线间形成有贯通的沟渠，沟渠包括接触窗口和窗口间凹槽，窗口间凹槽相对于接触窗口具有再凹入表面，再凹入深度介于5.8nm～8.5nm，使相邻的位线接触不互相电连接；在字线延伸方向上，位线接触的侧蚀深度之和与窗口间凹槽的再凹入深度成正比。本发明同时还提出另一种半导体存储器结构，其沟渠内的接触窗口相对于窗口间凹槽具有再凹入表面，再凹入表面低于沟渠内的隔离结构的表面；在字线延伸方向上，位线接触具有垂直的剖切外形。本发明通过控制刻蚀剂气体的比例或者选用不同的刻蚀剂有效地解决了因窗口间凹槽的相对较低的再凹入表面的形成导致位线接触严重侧蚀的问题。

主权项

1.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：/n衬底，由所述衬底的上表面界定有彼此间隔的多个有源区；/n隔离结构，形成于所述衬底中并使所述有源区彼此绝缘；/n字线，埋置于所述衬底中并沿所述字线延伸方向平行铺设，以与所述有源区和所述隔离结构相交，相邻的两个所述字线之间形成有与所述有源区的中间区域相交的贯通的沟渠，所述沟渠在所述有源区上的部分包括由所述有源区上表面凹入的接触窗口，用以与位线交迭；以及/n位线接触，形成于所述接触窗口中的所述有源区上；/n其中，所述沟渠在所述隔离结构上的部分包括由所述隔离结构上表面凹入的窗口间凹槽，所述窗口间凹槽相对于所述接触窗口具有再凹入表面，低于所述沟渠内的所述有源区的表面，所述窗口间凹槽的最低点至所述沟渠内的所述有源区的表面的深度介于5.8nm～8.5nm，使所述沟渠中的多个相邻的所述位线接触不互相电连接。/n