[发明专利]一种晶圆分离装置及方法在审
申请号: | 201810880065.8 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109148333A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆分离装置及方法,应用于键合有第一晶圆和第二晶圆的键合晶圆,其中,包括:一第一分离组件和一第二分离组件;第一分离组件包括用于固定第一晶圆的第一固定装置,以及用于带动第一固定装置和第一晶圆向一第一方向进行运动的第一运动单元;第二分离组件包括用于固定第二晶圆的第二固定装置,以及用于带动第二固定装置和第二晶圆向一第二方向进行运动的第二运动单元;风刀生成组件,包括若干气流输出嘴,气流输出嘴朝向键合晶圆的键合处设置;其中,第一方向和第二方向互为反向;能够避免在对键合晶圆进行分离的过程中使晶圆损伤和形变,从而保证晶圆产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 分离组件 固定装置 键合 分离装置 运动单元 输出嘴 种晶 半导体技术领域 晶圆产品 生成组件 形变 键合处 风刀 良率 损伤 应用 保证 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆分离装置,应用于键合有第一晶圆和第二晶圆的键合晶圆,其特征在于,包括:一第一分离组件和一第二分离组件;所述第一分离组件包括用于固定所述第一晶圆的第一固定装置,以及用于带动所述第一固定装置和所述第一晶圆向一第一方向进行运动的第一运动单元;所述第二分离组件包括用于固定所述第二晶圆的第二固定装置,以及用于带动所述第二固定装置和所述第二晶圆向一第二方向进行运动的第二运动单元;风刀生成组件,包括若干气流输出嘴,所述气流输出嘴朝向所述键合晶圆的键合处设置;其中,所述第一方向和所述第二方向互为反向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造