[发明专利]一种电流不随温度变化的电池充电电路在审

专利信息
申请号: 201810881422.2 申请日: 2018-08-05
公开(公告)号: CN109193824A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 孙殷 申请(专利权)人: 杭州展虹科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种电流不随温度变化的电池充电电路。一种电流不随温度变化的电池充电电路包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二电阻、第三NMOS管、第五PMOS管、第三电阻和电池。利用本发明可以使得在充电过程中充电电流不随温度变化,保证了电池的安全使用。
搜索关键词: 电池充电电路 电阻 电池 安全使用 充电电流 充电过程 保证
【主权项】:
1.一种电流不随温度变化的电池充电电路,其特征在于:包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二电阻、第三NMOS管、第五PMOS管、第三电阻和电池;所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极,另一端接地;所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端,漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极,源极接所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第二NMOS管的源极,另一端接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC,漏极接所述第二电阻的一端,源极接地;所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第三电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第三电阻的一端接所述第五PMOS管的漏极,另一端接所述电池的正极;所述电池的正极接所述第三电阻的一端,负极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州展虹科技有限公司,未经杭州展虹科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810881422.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top