[发明专利]一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法有效

专利信息
申请号: 201810882122.6 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN108893725B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 段羽;王浩然;王振宇;许湘晨;陈平;赵毅 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/455
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 刘世纯;王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法,属于薄膜沉积技术领域。是将衬底加热到30~400℃并保持稳定,抽真空后通入惰性气体;通入金属氧化物A的前驱体0.02~20s,等待惰性气体清洗,再通入金属氧化物B的前驱体0.02~20s,等待惰性气体清洗;然后通入氧化气体0.02~20s,在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物,等待惰性气体清洗;重复上述步骤从而生长出均匀混合金属氧化物。本发明方法利用多个间隔的金属前驱体脉冲填补了位阻导致的空位,活性位点自限制吸附更加充分,且避免过多的前驱体注入产生物理吸附,可生长出致密平坦的薄膜。由于位阻在同层随机产生,生长出的金属氧化物薄膜均匀随机掺杂。
搜索关键词: 一种 使用 原子 沉积 技术 生长 均匀 混合 金属 氧化物 方法
【主权项】:
1.一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法,其步骤如下:(1)将衬底放入原子层沉积设备的反应腔,加热到30~400℃并保持稳定;抽真空后通入惰性气体,使腔体气压稳定在0.1~0.3Torr;(2)通入金属氧化物A的前驱体0.02~20s,再等待惰性气体清洗5~30s,将未反应的金属氧化物A的前驱体与副产物气体吹离衬底表面;(3)通入金属氧化物B的前驱体0.02~20s,再等待惰性气体清洗5~100s,将残留物完全排出反应腔体;(4)通入氧化气体0.02~20s,在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物,再等待惰性气体清洗5~100s,排空腔体中副产物与残留氧化气体;(5)重复步骤(2)~(4)n次,从而在衬底上生长出n层均匀混合金属氧化物薄膜,n为正整数。
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