[发明专利]一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法有效
申请号: | 201810882122.6 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN108893725B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 段羽;王浩然;王振宇;许湘晨;陈平;赵毅 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法,属于薄膜沉积技术领域。是将衬底加热到30~400℃并保持稳定,抽真空后通入惰性气体;通入金属氧化物A的前驱体0.02~20s,等待惰性气体清洗,再通入金属氧化物B的前驱体0.02~20s,等待惰性气体清洗;然后通入氧化气体0.02~20s,在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物,等待惰性气体清洗;重复上述步骤从而生长出均匀混合金属氧化物。本发明方法利用多个间隔的金属前驱体脉冲填补了位阻导致的空位,活性位点自限制吸附更加充分,且避免过多的前驱体注入产生物理吸附,可生长出致密平坦的薄膜。由于位阻在同层随机产生,生长出的金属氧化物薄膜均匀随机掺杂。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 原子 沉积 技术 生长 均匀 混合 金属 氧化物 方法 | ||
【主权项】:
1.一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法,其步骤如下:(1)将衬底放入原子层沉积设备的反应腔,加热到30~400℃并保持稳定;抽真空后通入惰性气体,使腔体气压稳定在0.1~0.3Torr;(2)通入金属氧化物A的前驱体0.02~20s,再等待惰性气体清洗5~30s,将未反应的金属氧化物A的前驱体与副产物气体吹离衬底表面;(3)通入金属氧化物B的前驱体0.02~20s,再等待惰性气体清洗5~100s,将残留物完全排出反应腔体;(4)通入氧化气体0.02~20s,在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物,再等待惰性气体清洗5~100s,排空腔体中副产物与残留氧化气体;(5)重复步骤(2)~(4)n次,从而在衬底上生长出n层均匀混合金属氧化物薄膜,n为正整数。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的