[发明专利]低米勒电容制造方法在审
| 申请号： | 201810882951.4 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109037357A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴多武;许正一;马清杰 | 申请（专利权）人： | 南京方旭智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王文红 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种低米勒电容制造方法，在掺杂有第一类型杂质的衬底形成深沟槽；在深沟槽填充掺杂有第二类型杂质的第一半导体材料；在衬底与第一半导体材料相接触的位置形成栅极；在衬底的表面注入第二类型杂质，并使第二类型杂质高温扩散，形成沟道区；在沟道区形成有源区，并在有源区注入第一类型杂质；在有源区和沟道区围成的表面形成隔离层；在隔离层的远离衬底的一侧形成源极；在衬底的远离深沟槽的一侧形成漏极，从而形成低米勒电容。本申请实施例通过在深沟槽填充掺杂有第二类型杂质的第一半导体材料的方式来形成P型结，与现有的通过离子注入并高温扩散的方式相比，精度控制较好，用时较多，不易影响沟道一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 深沟槽 半导体材料 米勒电容 沟道区 源区 掺杂 隔离层 填充 杂质高温扩散 表面形成 高温扩散 精度控制 影响沟道 漏极 用时 源极 申请 离子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种低米勒电容制造方法，其特征在于，所述方法包括：在掺杂有第一类型杂质的衬底形成深沟槽；在所述深沟槽填充掺杂有第二类型杂质的第一半导体材料；在所述衬底与所述第一半导体材料相接触的位置形成栅极；在所述衬底的表面注入第二类型杂质，并使所述第二类型杂质高温扩散，形成沟道区；在所述沟道区形成有源区，并在所述有源区注入第一类型杂质；在所述有源区和沟道区围成的表面形成隔离层；在所述隔离层的远离所述衬底的一侧形成源极；在所述衬底的远离所述深沟槽的一侧形成漏极，从而形成低米勒电容。
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