[发明专利]半导体元件

摘要

一种半导体元件，包含位于基材上方的晶体管，以及在晶体管上方的第一金属化层、第二金属化层和第三金属化层。第一金属化层、第二金属化层和第三金属化层分别包含第一金属特征、第二金属特征和第三金属特征。第二金属特征纵向排列并实质垂直于第一金属特征，而第三金属特征实质上纵向排列平行于第一金属特征。第一金属特征、第二金属特征和第三金属特征分别具有沿着垂直于基材上表面的第一方向的第一厚度、第二厚度和第三厚度。第二厚度小于第一厚度和第三厚度。

主权项

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：多个晶体管，形成在一基材上方；一第一金属化层，位于所述多个晶体管上方，该第一金属化层包含设置在一第一介电层中的多个第一金属特征，所述多个第一金属特征具有沿着垂直于该基材的一上表面的一第一方向的一第一厚度；一第二金属化层，位于该第一金属化层上方，该第二金属化层包含设置在一第二介电层中的多个第二金属特征，所述多个第二金属特征具有沿着该第一方向的一第二厚度；以及一第三金属化层，位于该第二金属化层上方，该第三金属化层包含设置在一第三介电层中的多个第三金属特征，所述多个第三金属特征具有沿着该第一方向的一第三厚度，其中该第二厚度小于该第一厚度和该第三厚度，所述多个第二金属特征纵向排列并实质垂直于所述多个第一金属特征，而所述多个第三金属特征纵向排列并实质平行于所述多个第一金属特征。