[发明专利]一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810886567.1 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109148891A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵伟;李素丽;唐伟超;徐延铭;李俊义 | 申请（专利权）人： | 珠海光宇电池有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/66 | 分类号： | H01M4/66;H01M4/80;H01M4/38;H01M4/04;H01M4/134;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519180 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种纳米多孔铜‑硅负极片及其制备方法，该纳米多孔铜‑硅负极片包括：集流体基体，所述集流体基体上具有若干纳米微孔，所述纳米微孔内沉积有硅。制备时，将铜合金箔进行预处理，去除铜合金箔中的非铜成分，得到具有若干纳米微孔的纳米多孔铜集流体；将纳米微孔铜集流体以化学气相沉积的方法进行硅沉积，得到纳米多孔铜‑硅负极片。本发明方法的纳米多孔铜‑硅负极片，可以提升电池的能量密度得到了提升，而且提高了循环性能，充电前后负极片的厚度膨胀也得到了改善。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米多孔铜 硅负极 纳米微孔 集流体 制备 铜合金箔 预处理 化学气相沉积 铜集流体 循环性能 负极片 硅沉积 非铜 沉积 去除 充电 电池 膨胀 | ||
【主权项】：
1.一种纳米多孔铜‑硅负极片，包括：集流体基体，其特征在于，所述集流体基体上具有若干纳米微孔，所述纳米微孔内沉积有硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海光宇电池有限公司，未经珠海光宇电池有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810886567.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
