[发明专利]一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法

摘要

本发明公开了一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，包括以下步骤：S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；其中，第一步：扩散温度设置为730℃‑780℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为600s；第二步：扩散温度设置为680℃‑730℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为300s；S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗。本发明的碱刻蚀可以有限减少HF/HNO3的使用量，减少环境治理成本，同时降低化学品制造成本，碱刻蚀背面反射率率相比酸刻蚀更高，可以有效提升SE晶硅电池转换效率，电池转换效率可以进一步明显提升，实用性很强，非常值得推广。

主权项

1.一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；其中，第一步：扩散温度设置为730℃‑780℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为600s；第二步：扩散温度设置为680℃‑730℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为300s；S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；其中，背面磷硅玻璃槽中的配液配比为HF：DI水＝1:9，带速为1.2‑2.5m/min；S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗；其中，碱刻蚀槽中的配液配比为KOH：添加剂：DI水＝1:2.5:80，刻蚀温度设置为70℃‑75℃，时间为170s‑230s；第一道酸洗槽中的配液配比为HCL：H2O2:DI水＝1:0.67:16，酸洗温度设置为50℃‑60℃，时间为130s‑180s；第二道酸洗槽中的配液配比为HF:DI水＝1:37，酸洗温度设置为20℃‑30℃，时间为80s‑120s。