[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810886862.7 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110246821A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 田上政由 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够将焊垫彼此适当地接合的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：第1芯片，具有第1插塞、及设置在所述第1插塞上的第1焊垫；及第2芯片，具有第2插塞、及设置在所述第2插塞下的第2焊垫。所述第2芯片具备：电极层，和所述第2插塞电连接；电荷蓄积层，在所述电极层的侧面介隔第1绝缘膜而设置；及半导体层，在所述电荷蓄积层的侧面介隔第2绝缘膜而设置。而且，所述第1焊垫与所述第2焊垫接合；所述第1及第2插塞是以在和所述基板的表面垂直的第1方向上，所述第1插塞和所述第2插塞至少一部分不相互重叠的方式配置。 | ||
| 搜索关键词： | 插塞 焊垫 半导体装置 电荷蓄积层 接合 芯片 电极层 绝缘膜 半导体层 表面垂直 方式配置 侧面 电连接 基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：第1芯片，具有第1插塞、及设置在所述第1插塞上的第1焊垫；及第2芯片，具有第2插塞、及设置在所述第2插塞下的第2焊垫；所述第2芯片具备：电极层，和所述第2插塞电连接；电荷蓄积层，在所述电极层的侧面介隔第1绝缘膜而设置；以及半导体层，在所述电荷蓄积层的侧面介隔第2绝缘膜而设置；且所述第1焊垫与所述第2焊垫接合；所述第1及第2插塞是以在和所述基板的表面垂直的第1方向上，所述第1插塞和所述第2插塞至少一部分不相互重叠的方式配置。
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