[发明专利]垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810888540.6 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN109097737B 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 吴华疆 申请(专利权)人: 泉州凯华新材料科技有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;G11B5/851
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 张玺
地址: 362300 福建省泉*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法,包括如下步骤:准备玻璃基片;在玻璃基片表面镀敷MnO层;在MnO层上镀敷第一MnGa层;在第一MnGa层上镀敷第一Pt层;在第一Pt层上镀敷第一FePt层;在第一FePt层上镀敷第二MnGa层;在第二MnGa层上镀敷FeCo层;在FeCo层上镀敷第二FePt层;以及在第二FePt层上镀敷Cr层。本发明的磁记录薄膜对于制备工艺要求不严格。同时,本发明的磁记录薄膜的矫顽力适当的大,使得本发明的材料能够切实抵抗外界干扰。此外,本发明的剩磁较大,矩形比较高,使得本发明的磁记录薄膜有望成为一种性能优良的磁记录材料。
搜索关键词: 垂直 各向异性 记录 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法,其特征在于:所述垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法包括如下步骤:准备表面清洁的玻璃基片;利用具有第一工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述玻璃基片表面镀敷MnO层,其中,所述MnO层的厚度为10‑15nm;利用具有第二工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述MnO层上镀敷第一MnGa层,其中,所述第一MnGa层的厚度为15‑25nm;利用具有第三工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述第一MnGa层上镀敷第一Pt层,其中,所述第一Pt层的厚度为10‑15nm;利用具有第四工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述第一Pt层上镀敷第一FePt层,其中,所述第一FePt层的厚度为20‑30nm;利用具有第五工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述第一FePt层上镀敷第二MnGa层,其中,所述第二MnGa层的厚度为25‑45nm;利用具有第六工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述第二MnGa层上镀敷FeCo层,其中,所述FeCo层厚度为10‑20nm;利用具有第七工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述FeCo层上镀敷第二FePt层,其中,所述第二FePt层厚度为15‑25nm;以及利用具有第八工艺参数的交流磁控溅射方法,在所述第二FePt层上镀敷Cr层,其中,所述Cr层厚度为10‑20nm。
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