[发明专利]双圆极化波导阵列天线及其制作方法

摘要

本申请公开一种双圆极化波导阵列天线及其制作方法，本申请主要是在基片集成波导阵列的各个基片集成波导上间隔布设有第一圆极化缝隙线阵和第二圆极化缝隙线阵，其中，第一圆极化缝隙线阵包括沿着基片集成波导的长度方向的多个呈“＜”型的第一圆极化缝隙结构，第二圆极化缝隙线阵包括沿着基片集成波导的长度方向的多个呈“＞”型第二圆极化缝隙结构，利用第一圆极化缝隙线阵和第二圆极化缝隙线阵，在电磁波馈入时产生双圆极化波，本申请双圆极化波导阵列天线结构简单且工作效率较高，可适用于毫米波通信的应用场景中。

主权项

1.一种双圆极化波导阵列天线，其特征在于，包括：基片集成波导阵列，包括通过介质基片和形成于所述介质基片上的至少三排金属化过孔而形成的至少两个基片集成波导；所述介质基片包括上层金属面、中间介质基板、以及下层金属面；所述至少三排金属化过孔通过任意相邻两排金属化过孔之间形成一布置区域的方式形成间隔设置的至少一第一布置区域和至少一第二布置区域；每一排金属化过孔中的多个金属化过孔沿着所述介质基片的长度方向排列，每一个金属化过孔贯穿中间介质基板且使得上层金属面与下层金属面电导通，所述金属化过孔的直径d和属于同一排金属化过孔中相邻两个金属化过孔之间的圆心间距s满足条件：d＜0.22g，s＜2d，d＜0.2a，其中，λg为所述基片集成波导的波导波长，a为所述基片集成波导的宽度；至少一第一圆极化缝隙线阵，所述第一圆极化缝隙线阵包括沿着所述基片集成波导的长度方向设于所述第一布置区域的上层金属面上的多个第一圆极化缝隙结构；相邻两个第一圆极化缝隙结构的间距L满足：L＝λg；所述多个第一圆极化缝隙结构中的每一个包括两个错落布设且互成一夹角的第一偏置斜缝，所述两个第一偏置斜缝形成“＜”型圆极化缝隙结构，且，任一个所述第一偏置斜缝与所述第一布置区域所在的基片集成波导的中心线的偏转角度呈45°至50°；若电磁波顺着“＜”型圆极化缝隙结构馈入，则产生右旋圆极化波；若电磁波逆着“＜”型圆极化缝隙结构馈入，则产生左旋圆极化波；至少一第二圆极化缝隙线阵，所述第二圆极化缝隙线阵包括沿着所述基片集成波导的长度方向设于所述第二布置区域的上层金属面上的多个第二圆极化缝隙结构；相邻两个第二圆极化缝隙结构的间距L满足：L＝λg；所述多个第二圆极化缝隙结构中的每一个包括两个错落布设且互成一夹角的第二偏置斜缝，所述两个第二偏置斜缝形成“＞”型圆极化缝隙结构，且，任一个所述第二偏置斜缝与所述第二布置区域所在的基片集成波导的中心线的偏转角度呈45°至50°；若电磁波顺着“＞”型圆极化缝隙结构馈入，则产生左旋圆极化波；若电磁波逆着“＞”型圆极化缝隙结构馈入，则产生右旋圆极化波。